场效应管到通后有微小内阻，通过的电流越大管子分压越高功耗越高，igbt导通后像一个二极管一样直接压降0.4～0.6v，功耗固定，因为功耗固定在大电流高电压下igbt发热比场效应管小的多，除了驱动电压一个12v左右一个18v左右以外，一般是可以代换
电源管理芯片为NCP1397AG，驱动半桥两个mos管，型号为45N60，由于损坏用20N60代换试机，电源输出正常，换上两个IGBT管，型号为45N60S2，不带阻尼的IGBT管子，结果电源不能正常工作，且电源管理芯片损坏，可见不能简单的用IGBT管子代换MOS管。并且查找资料两者的工作频率是不同的。所以不能直接代用。
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