我也想了解呢:tiger05:tjumark(站内联系TA)四探针测定的是表面电阻,一般用于薄膜方块电阻的测定;对于后尺寸的块体试样和lz的高气孔率、高电阻试样,建议采用体积电阻测定仪器,可以用高阻仪或LCR databridge等。
四探针测定的是表面电阻,一般用于薄膜方块电阻的测定;对于后尺寸的块体试样和lz的高气孔率、高电阻试样,建议采用体积电阻测定仪器,可以用高阻仪或LCR databridge等。
另外,测试电极的制备也是很重要的。 可不可以推荐几个具体的设备,我用四探针法又测了一下自己烧出来的SiC
我的是碳化硅的试条,宽高都是12mm,长度现在有二十几mm,想做一下电阻率的测试,我看实验室的四点探针仪器是WC的针头,想测一下电阻率,以前也是这种碳化硅试条,做测试的时候也磨光过一个表面,但是试样本身气孔 ... 你这个四探针电阻率测试仪是测表面电阻的吧。这种测试仪测的探针周围的表面电阻,并且四个探针之间距离为1mm左右,感觉误差较大。
你这个四探针电阻率测试仪是测表面电阻的吧。这种测试仪测的探针周围的表面电阻,并且四个探针之间距离为1mm左右,感觉误差较大。